[发明专利]采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺

摘要

采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺是一种用于制造兼容常规薄外延浅基区结的集成注入逻辑(I²L)工艺方法，本发明通过用PWELL版，在外延前做一次额为地磷埋层注入，提高发射区浓度，大大提高了I²L的性能。采用磷埋技术的薄外延浅结集成注入逻辑的制作工艺不增加光刻版和退火过程的。仅增加一次光刻与注入。本发明采用磷埋技术的薄外延浅结集成注入逻辑工艺制作I²L的材料片为P型<100>晶向，电阻率为10～20Ω·cm。

主权项

1.一种采用磷埋技术的薄外延浅结集成注入逻辑的制作方法，其特征在于该方法具体如下：a.投料：P型，晶向<100>，b.锑埋光刻、腐蚀：刻出I2L区域的锑埋窗口，c.锑埋注入：注入能量60KeV，注入剂量2.0E15～2.6E15；杂质为锑，将I2L区域注入锑，d.锑埋退火：退火条件为1200℃，300分钟N2+120分钟O2，e.磷埋光刻、腐蚀：刻出I2L区域的磷埋窗口，此处采用I2L的P阱版，f.磷埋注入：注入能量130～150KeV，注入剂量3.5E14～4.5E14；杂质为磷，将I2L的P阱正下方的区域注入磷，g.硼埋光刻、注入：注入区域为外围用来形成隔离的区域，h.硼埋退火：退火条件1200℃25～35分钟N2，i.外延：N型外延，厚度3.5～5.0μm，电阻率0.7～0.8Ω·cm，j.P阱光刻、注入：注入区域为I2L的基区，注入能量为130～150KeV，剂量为3.5E12～5.5E12，杂质为硼，此注入形成I2L的基区，k.深磷光刻、注入：注入区域为I2L的发射区，注入能量为50～70KeV，剂量为8E15～1E16，杂质为磷，此注入形成I2L的侧向的发射区，l.深磷退火：1150℃，70～80分钟N2，m.隔离光刻、注入：注入区域为外围用来形成隔离的区域，此注入与先前的硼埋一起形成隔离，n.隔离退火：1100℃40～50分钟N2，o.浓硼光刻、注入：注入区域为I2L基区周围一圈，用来形成I2L基区的欧姆接触区，注入能量为50～70KeV，剂量为2.5E14～6.5E14，杂质为硼，p.基区退火：980℃～1000℃，25～35分钟N2，q.发射区光刻、注入：注入区域为I2L的发射区、集电区，注入能量为60KeV～80KeV，剂量为4E15～6E15，杂质为磷，此注入形成I2L的侧向的集电区及发射区的欧姆接触，r.发射区退火：880℃～910℃，20～30分钟N2，s.接触孔光刻、腐蚀：采用干法+湿法的方法刻蚀，以形成良好的表面状态，t.一铝溅射：0.6～1.0μm Al-Si，u.压点光刻，刻蚀：刻出压点区域。