[发明专利]超薄太阳能级硅片及其切割工艺

摘要

本发明涉及一种超薄太阳能级硅片及其切割工艺，属于太阳能电池领域。超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的45°倒角，上、下两平面的距离为165μm－195μm范围，翘曲度小于75μm，表面光洁、平整、无瑕疵。超薄太阳能级硅片切割工艺是采用硅晶棒开方机将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同45°倒角的八角方型柱体，切削余料为块状，可回炉再利用。还采用优化切割工艺在多线切割机上切割成超薄太阳能级硅片，保证超薄太阳能级硅片的制造质量，提高生产效率，降低了超薄太阳能级硅片的制造成本。

主权项

1、一种超薄太阳能级硅片，其本体(1)为由上、下两平行平面(2、3)组成的方形薄片，其特征在于：方形薄片四角(4)为四个相同的45°倒角。