[发明专利]成像装置和闪烁检测方法有效

专利信息
申请号: 200780049492.1 申请日: 2007-09-27
公开(公告)号: CN101622859A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 新仓谦太郎 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H04N3/15 分类号: H04N3/15;H04N5/235
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;安 翔
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 曝光控制单元(15)对CMOS传感器(10)的电荷积聚时间进行控制。CMOS传感器(10)以电荷积聚时间T1拍摄图像P1并且以电荷积聚时间T2拍摄图像P2。电荷积聚时间T1不会在以第一闪光周期闪光的光源之下的图像中引起闪烁。电荷积聚时间T2与电荷积聚时间T1不同。差分图像产生单元(17)产生用于加强示出图像P1和P2的亮度差的差分图像DP。闪烁检测单元(18)根据在差分图像DP中出现的P1与P2之间的亮度差来对图像P2中的闪烁发生进行检测。
搜索关键词: 成像 装置 闪烁 检测 方法
【主权项】:
1.一种成像装置,包括:成像传感器;控制单元,配置为控制通过被调节为第一电荷积聚时间的所述成像传感器拍摄第一图像和控制通过被调节为第二电荷积聚时间的所述成像传感器拍摄第二图像,所述第一电荷积聚时间不会在以第一闪光周期闪光的光源之下所述成像传感器所拍摄的图像中引起闪烁,所述第二电荷积聚时间与所述第一电荷积聚时间不同;以及闪烁检测单元,配置为根据所述第一图像与所述第二图像之间的亮度差来对所述第二图像中的闪烁发生进行检测。
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