[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录和再现装置有效

专利信息
申请号: 200780044047.6 申请日: 2007-11-21
公开(公告)号: CN101542604A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 福岛正人;坂胁彰 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;C23C14/48;G11B5/65;G11B5/851;H01F41/16;H01F41/32
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种制造磁记录介质(30)的方法,该磁记录介质在非磁性基底(1)的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形,该方法包括以下步骤:在非磁性基底上形成磁性层(2);在磁性层上形成掩模层(3);在掩模层上形成抗蚀剂层(4);使用压模(5)将磁记录图形的负图形转移到抗蚀剂层;去除掩模层的与磁记录图形的负图形对应的部分;从抗蚀剂层侧的表面将离子注入磁性层中,以使磁性层部分地非磁性化;以及去除抗蚀剂层和掩模层。一种磁记录和再现装置包括:上述磁记录介质(30);驱动部分(11),其沿记录方向驱动磁记录介质;磁头(27),其包括记录部分和再现部分;用于使磁头相对于磁记录介质移动的机构(28);以及记录和再现信号处理机构(29),其用于向磁头输入信号和从磁头再现输出信号。
搜索关键词: 制造 记录 介质 方法 以及 再现 装置
【主权项】:
1.一种制造磁记录介质的方法,所述磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形,所述方法包括以下步骤:在所述非磁性基底上形成磁性层;在所述磁性层上形成掩模层;在所述掩模层上形成抗蚀剂层;使用压模将所述磁记录图形的负图形转移到所述抗蚀剂层;去除所述掩模层的与所述磁记录图形的所述负图形对应的部分;从抗蚀剂层侧的表面将离子注入所述磁性层中,以使所述磁性层部分地非磁性化;以及去除所述抗蚀剂层和所述掩模层。
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