[发明专利]用于改进保护暗参考列和行免受模糊现象和串扰的N阱势垒像素无效

专利信息
申请号: 200780014216.1 申请日: 2007-04-09
公开(公告)号: CN101427375A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 理查德·A·毛里松;因纳·帕特里克 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于使图像传感器的像素阵列的一个或一个以上暗区域与有源阵列或与外围电路隔离的势垒区域包含N阱像素隔离区域。所述N阱像素隔离区域包含至少一个N阱植入物或至少一个N阱条带。所述N阱像素隔离区域邻近像素单元,所述像素单元包括所述暗区域。在所述势垒区域中添加N阱会通过减少或消除所述N阱隔离区域下方的势垒像素区中的中性P-EPI区域来改进所述势垒区域的隔离特性。
搜索关键词: 用于 改进 保护 参考 免受 模糊 现象 阱势垒 像素
【主权项】:
1. 一种图像传感器,其包括:衬底;像素单元阵列,其形成为与所述衬底相关联,其中所述像素单元阵列包含有源阵列区域和黑色区域;以及至少一个N阱像素隔离区域,其形成于所述有源阵列区域与所述黑色区域之间。
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