[发明专利]具有隧道结的高效发光二极管有效
| 申请号： | 200780014101.2 | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101427431A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | J·P·艾贝森;B·P·凯勒;K·U·米希拉 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘 佳 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由宽带隙半导体材料制成的LED，其具有在宽带隙半导体器件中带有隧道结的低电阻p-型限制层。设置在隧道结的一种异种材料在隧道结处产生固有偶极子。该固有偶极子用于形成具有一隧道宽度的结，所述隧道宽度小于没有异种材料时的宽度。通过在限制层的结中产生极化电荷，可以在宽带隙半导体器件中构成具有隧道结的低电阻p-型限制层，并且在结中形成小于没有极化电荷时的隧道宽度。在结内加入杂质，可增强在限制层中穿过隧道结的隧道效应。这些杂质可在结中形成带隙态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隧道 高效 发光二极管 | ||
【主权项】：
1. 一种高效宽带隙半导体器件p-型限制层，所述的p-型约束层包括：具有第一组分的第一半导体层，其与第二和第三半导体层金属接触并且设置在两者之间，其中第二和第三半导体层具有与所述第一层不同的组分，所述第二半导体层是p-型，而所述第三半导体层是n-型；具有隧道宽度和隧穿电阻的隧道结，其由所述第二、第一和第三层构成，并适合于使所述第二层中的电荷载流子跃迁至具有相反极性的电荷载流子，其中与所述不同材料相关的固有偶极子用来形成所述结，以致使所述宽度小于没有所述第一层时所述结中的宽度。
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