[实用新型]<100>N^－/N⁺/P⁺网状埋层扩散抛光片无效

申请号：	200720065240.5	申请日：	2007-11-24
公开（公告）号：	CN201171045Y	公开（公告）日：	2008-12-24
发明（设计）人：	邓建伟;许伍权;刘谋忠;曹宏伟	申请（专利权）人：	衡阳晶体管有限公司
主分类号：	H01L23/00	分类号：	H01L23/00;H01L29/00
代理公司：	衡阳市科航专利事务所	代理人：	曾树林
地址：	421007湖南***	国省代码：	湖南;43
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摘要：	一种以NTD硅单晶制作的<100>N^－/N⁺/P⁺网状埋层扩散抛光片，包括单晶硅衬底，其特征是单晶硅衬底上面有呈网状分布的降耗埋层。其均匀性可控制在8％以内，高阻区厚度控制可在±7.5μm范围内，单晶层的缺陷密度远远低于外延层，可完全取代外延基片，用它制造电力电子器件，不仅能大大降低制造成本，还能提高器件的各项性能指标，击穿电压高，体表面缺陷少，合格率高，具有相当高的技术附加值，尤其在高压VDMOS、IGBT等新型元器件的材料应用中有着广阔的市场前景。
搜索关键词：	100 sup 网状扩散抛光
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【主权项】：

1、一种<100>N-/N+/P+网状埋层扩散抛光片，包括单晶硅衬底(1)，其特征是单晶硅衬底(1)上面有呈网状分布的降耗埋层(2)。

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