[发明专利]一种铝酸镧晶体的生长方法有效
| 申请号： | 200710173605.0 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101280459A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 吴宪君;李新华;何庆波 | 申请（专利权）人： | 上海晶生实业有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 200443上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种生长铝酸镧LaAlO3晶体的坩埚下降法生长方法，包括以下步骤：(1)Al2O3和La2O3作为原料，用量比依照LaAlO3的化学组成，混合，压块；(2)将装压块原料坩埚移至真空下降炉内，升温抽真空至10－2－10－4Pa，炉温升至1500－1700℃充入惰性保护气体，继续升温至2100－2300℃；(3)使原料和晶种顶部熔化，实现接种生长，晶体生长固液界面温度梯度在25－85℃/cm，坩埚下降速率在0.2－10mm/h之间；(4)晶体生长结束后，以30－100℃/h的速度将炉温降至室温。所得铝酸镧晶体具有良好的结晶性能，低的介电常数和介电损耗以及中等折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝酸镧 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长铝酸镧LaAlO3晶体的坩埚下降法生长方法，该方法包括以下步骤：(1)采用Al2O3和La2O3作为初始原料，两者的用量比依照Al2O3和La2O3 的摩尔比例为1∶(1±0.5)，混合均匀，压块；(2)将装有步骤(1)所得压块原料的坩埚移至真空下降炉内，对整个系统升温并抽真空至10-2-10-4Pa，在炉温升至1500-1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在2100-2300℃的范围内；(3)调整坩埚在炉膛内的位置，使原料和晶种顶部熔化，实现接种生长，晶体生长的固液界面温度梯度在25-85℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.2-10mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，以30-100℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶生实业有限公司，未经上海晶生实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710173605.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制
- 下一篇：动索用金属绳
