[发明专利]光致抗蚀剂层的重工方法与图案化工艺无效
| 申请号： | 200710128383.0 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101345191A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 何青原;卓志臣 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光致抗蚀剂层的重工方法。首先，提供材料层。之后，在材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中保护层与第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性。接着，移除第一图案化光致抗蚀剂层。然后，移除第一硬掩模层至暴露出保护层。随之，在材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。本发明还公开了一种图案化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 重工 方法 图案 化工 | ||
【主权项】：
1.一种光致抗蚀剂层的重工方法，包括：提供材料层；于该材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中该保护层与该第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性；移除该第一图案化光致抗蚀剂层；移除该第一硬掩模层至暴露出该保护层；以及于该材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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