[发明专利]具有扩散层PVD轴瓦的生产方法有效

专利信息
申请号: 200710093218.6 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN101216071A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 冀庆康;唐太平;吴文俊 申请(专利权)人: 重庆跃进机械厂
主分类号: F16C33/14 分类号: F16C33/14;F16C33/12;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14
代理公司: 重庆市前沿专利事务所 代理人: 郭云
地址: 40216*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种具有扩散层PVD轴瓦的生产方法,包括溅前处理、将轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观,其关键在于:所述溅射舱抽真空后,在PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之前先磁控溅射增设第一扩散层;所述溅射镍栅层(Ni)之后,溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层;本发明提供一种溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法,通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构,提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。
搜索关键词: 具有 扩散 pvd 轴瓦 生产 方法
【主权项】:
1.一种具有扩散层PVD轴瓦的生产方法,包括溅前处理、轴瓦装入夹具、溅射舱抽真空、溅射镍栅层(4)、溅射铝合金减摩层(6)、检查尺寸及外观,其特征在于:在所述溅射舱抽真空与溅射镍栅层(4)之间增设磁控溅射的第一扩散层(3);在所述溅射镍栅层(4)之与溅射铝合金减摩层(6)之间增设磁控溅射的第二扩散层(5);所述磁控溅射第一扩散层(3)的工艺条件:PVD轴瓦基体在抽真空的溅射舱内,参与互溅的基体衬里层(1)为CuPbSn,采用纯度为99.99%的镍靶,对PVD轴瓦基体通电,PVD轴瓦基体负偏压为-300~-1700伏;PVD轴瓦基体电流为0.5~2安培;对镍靶通电,镍靶通负电压为-200~-620伏;镍靶电流为0.3~1安培;基体衬里层(1)与镍靶互溅处理时间为3~40分钟;最后第一扩散层(3)各组分重量百分比如下:Cu 0~5%;CuPb 2~5%;CuPbSn 5~10%;CuNi 10~30%;CuPbSnNi 3~15%;CuPbNi余量;所述磁控溅射第二扩散层(5)的工艺条件:覆盖有镍栅层(4)的PVD轴瓦基体在抽真空的溅射舱内,参与互溅的镍栅层(4)为Ni,采用纯度为99.2%的铝锡铜合金靶,该铝锡铜合金中锡的重量百分含量:16~24%;铜的重量百分含量:0.6~1.5%;其余为铝的重量百分含量,对PVD轴瓦基体通电,PVD轴瓦基体负偏压:-150~-1600伏;PVD轴瓦基体电流为0.3~2安培;对铝锡铜合金靶通电,铝锡铜合金靶负电压:-150~-600伏;铝锡铜合金靶电流:0.2~1安培;镍栅层(4)与铝锡铜合金靶互溅处理时间:2~30分钟;最后第二扩散层(5)各组分重量百分比如下:Ni 0~3%;Ni3Al 2~15%;NiAl 5~10%;Al3Ni2 10~30%;Al 10~20%;NiAlSnCu 0~15%;AlSnCu 10~25%;AlSn余量。
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