[发明专利]气相生长方法及气相生长装置有效
| 申请号： | 200710088732.0 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101043001A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 伊藤英树;稻田聪史;森山义和 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个方式气相生长方法，使用气相生长装置，该气相生长装置在腔内收容了放置于支承台上的基板，并连接有向放置于上述支承台上的上述基板上供给用于成膜的气体的第1流路、及将气体排出的第2流路，其特征在于，使上述基板旋转，供给上述用于成膜的反应气体及载体气体，在上述基板上气相生长半导体层；在上述基板上气相生长上述半导体层时，控制上述反应气体及载体气体的流量和浓度、上述腔内的真空度、上述基板温度及使上述基板旋转的旋转速度，使上述半导体层的膜厚均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种气相生长方法，使用气相生长装置，该气相生长装置在腔内收容了放置于支承台上的基板，并连接有向放置于上述支承台上的上述基板上供给用于成膜的气体的第1流路、及排出气体的第2流路，其特征在于，使上述基板旋转；供给上述用于成膜的反应气体及载体气体，在上述基板上气相生长半导体层；在上述基板上气相生长上述半导体层时，控制上述反应气体及载体气体的流量和浓度、上述腔内的真空度、上述基板温度及使上述基板旋转的旋转速度，使上述半导体层的膜厚均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
