[发明专利]利用磁畴运动的磁存储装置有效
| 申请号： | 200710084953.0 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101026000A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;金起园;曹永真;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁存储装置。所述磁存储装置包括：记录层、参考层、第一输入部分以及第二输入部分。所述记录层具有垂直磁化方向和多个磁畴，且所述参考层对应于记录层的一部分并具有被钉扎磁化方向。所述记录层具有其中形成多个数据位区的数据存储单元，每个数据位区由磁畴构成。所述磁畴与参考层的有效尺寸相对应。第一输入部分输入写入信号和读取信号中的至少一个。第二输入部分电连接到记录层并输入磁畴运动信号以将记录层的数据位区中存储的数据移动到相邻数据位区。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 运动 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种磁存储装置，包括：其中形成多个磁畴的记录层，所述磁畴每个具有可变换的磁化方向和垂直磁化方向；参考层，其对应于部分所述记录层并具有被钉扎磁化方向，其中数据存储单元形成在所述记录层中，所述数据存储单元存储由所述磁畴构成的数据位的阵列，所述磁畴与所述参考层的有效范围相对应；第一输入部分，其电连接到所述数据存储单元的至少一个数据位区和所述参考层，并输入写入信号和读取信号至少之一；以及第二输入部分，其电连接到所述记录层并输入磁畴运动信号从而将所述记录层的所述数据位区中存储的数据移动到相邻数据位区。
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