[发明专利]一维SiC纳米线的制备方法

摘要

一维SiC纳米线的制备方法，它涉及一种SiC纳米材料的制备方法。本发明解决了工艺复杂、成本高、生长不易控制、纯度低、转化率低的问题。方法的步骤如下：a、将Si粉和石墨粉混合后；b、将混合物球磨12～48h；c、酸洗；d、水洗；e、加入有机溶剂，超声分散10～15min；f、静置10min～2h；g、将其覆盖在基片或瓷舟上；h、将经步骤g处理后的基片或瓷舟放入加热装置中，抽真空至10^－2～10^－1Pa，充氩气至0.5～1个大气压或保持真空，以10℃/min或5℃/min的速率升温到900～1200℃，保温时间设为1～5h。本发明具有工艺简单、反应过程中不添加催化剂、成本低、生长易控制、转化率高、纯度高的优点。

主权项

1、一种一维SiC纳米线的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：a、按0.8～1.2∶1的摩尔比称取纯度为99.99％的Si粉和石墨粉，将Si粉和石墨粉混合后；b、将混合物装入真空球磨罐中，选取球料比为20～35∶1，将球磨罐抽真空后充入0.01～0.2个大气压的纯度为99.9999％的氩气，将球磨罐置于高能球磨机上以430～510转/分钟的速度球磨12～48小时，粒度达到5～50nm；c、球磨后的粉体用HNO3与H2O的体积比为0.8～1.2∶1的硝酸溶液浸泡20～36h，然后倒掉硝酸，按上述方法再酸洗一次；d、酸洗后的粉体再用蒸馏水水洗；e、向水洗后的粉体加入有机溶剂，超声分散10～15min；f、将超声分散后的悬浊液静置10min～2h；g、取静置后的悬浊液滴到清洗干净的基片表面或瓷舟中，放置30min～1h，即有溶剂挥发完，或者将静置后悬浊液在60～80℃条件下烘干后再放入清洗干净的瓷舟中；h、将经步骤g处理后的基片或瓷舟放入加热装置中，抽真空至10-2～10-1Pa，充氩气至0.5～1个大气压或保持真空，以10℃/min或5℃/min的速率升温到900～1200℃，保温时间设为1～5h，即得到一维SiC纳米线。