[发明专利]一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关有效
| 申请号： | 200710064879.6 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276708A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘茂哲;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及射频微机电系统技术领域，公开了一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关，包括开关可动部分和开关不可动部分；所述开关可动部分由SOI的顶层单晶硅形成，在该开关可动部分两端的上侧面分别有下电极和接触点；所述开关不可动部分与SOI顶层单晶硅固定连接，在开关不可动部分两端的下侧面与所述开关可动部分下电极对应的位置有上电极，在开关不可动部分两端的下侧面与所述开关可动部分接触点对应的位置有传输线；通过分别给两端的上电极和下电极之间加电压，使上电极与下电极形成推拉式结构，进而接触或断开传输线与接触点，实现开关动作。利用本发明，降低了驱动电压，增加了开关的寿命，使RF MEMS产品化成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 推拉 单晶硅 射频 微机 系统 开关 | ||
【主权项】：
1. 一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关，其特征在于，该射频微机电系统开关包括开关可动部分和开关不可动部分；所述开关可动部分由绝缘体上硅SOI的顶层单晶硅形成，在该开关可动部分两端的上侧面分别有下电极和接触点；所述开关不可动部分与SOI顶层单晶硅固定连接，在开关不可动部分两端的下侧面与所述开关可动部分下电极对应的位置有上电极，在开关不可动部分两端的下侧面与所述开关可动部分接触点对应的位置有传输线；通过分别给两端的上电极和下电极之间加电压，使上电极与下电极形成推拉式结构，进而接触或断开传输线与接触点，实现开关动作。
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