[发明专利]双银复合结构的低反射高遮阳的低辐射镀膜玻璃及工艺有效
申请号: | 200710045930.9 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101148329A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 王茂良;安吉申;吴斌;李志军;孙大海 | 申请(专利权)人: | 上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司;上海耀皮工程玻璃有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C23C14/35 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人: | 罗习群 |
地址: | 200126上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双银复合结构的低反射高遮阳的低辐射镀膜玻璃及镀制工艺,该玻自玻璃基板向外的结构层依次为:玻璃/电介质层(1)/复合吸收层(1)/银层(1)/保护层(1)/复合电介质层(1)/银层(2)/保护层(2)/电介质层(2);采用真空磁控溅射镀膜工艺,优点是,具有红外线反射能力强,膜层表面辐射率低,在获得高遮阳性能的同时,实现可见光的中低透过率和中低反射率等优良特性的玻璃。 | ||
搜索关键词: | 复合 结构 反射 遮阳 辐射 镀膜 玻璃 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种双银复合结构的低反射高遮阳的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:在玻璃基板镀制多层膜层的结构,各膜层结构,自玻璃基板向外依次为:玻璃/电介质层(1)/复合吸收层(1)/银层(1)/保护层(1)/复合电介质层(1)/银层(2)/保护层(2)/电介质层(2);其中:电介质层(1)为Sn02,膜层厚度为35nm~40nm;银层(1)、(2)为Ag;膜层厚度为10nm~12nm;复合吸收层(1)为NiCr/陶瓷ZnOx;膜层厚度为12nm~14nm;保护层(1)、(2)为NiCr;膜层厚度为1nm~2nm;复合电介质层(1)为TiOx/SnO2/TiOx/ZnO结构;膜层厚度为100nm~110nm;;电介质层(2)为Si3N4;膜层厚度为35nm~40nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司;上海耀皮工程玻璃有限公司,未经上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司;上海耀皮工程玻璃有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710045930.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多核处理系统及其管理方法
- 下一篇:一种掘进机截割头内喷雾装置