[发明专利]光学邻近校正的方法有效
| 申请号： | 200710044547.1 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101359178A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 刘庆炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/14 | 分类号： | G03F7/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，在该光学邻近校正的方法中，半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面，其中，包括以下步骤：首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；再对为散焦平面的半导体平面使用用于散焦平面的光学邻近校正模型。采用本发明的光学邻近校正的方法不仅能实现半导体层上的不同区域的光学邻近校正，而且可以补偿由于拓扑效应产生的临界尺寸变化。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 校正 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，所述半导体层的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其特征在于，所述方法包括以下步骤：首先使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的最佳聚焦平面进行光学邻近校正；再使用用于散焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的散焦平面进行光学邻近校正。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710044547.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
