[发明专利]一种可降低复位操作电流的电阻存储器无效
| 申请号： | 200710043707.0 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101101960A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈邦明;尹明;唐立;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体是一种可降低复位操作电流的电阻存储器。该电阻存储器在金属氧化物电阻存储薄膜和电极之间，或者两层存储介质之间插入一介质薄膜，该介质薄膜的电阻率在10欧·cm以上，通过所插入介质薄膜产生的热量对电阻存储薄膜加热，从而降低复位操作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 复位 操作 电流 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
1一种可降低复位操作电流的电阻存储器，其特征在于：在金属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间或者在两层金属氧化物电阻存储薄膜之间插入一层介质薄膜，该介质薄膜的电阻率在10欧·cm以上。
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