[发明专利]不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法有效

专利信息
申请号: 200710040714.5 申请日: 2007-05-16
公开(公告)号: CN101308516A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 张兴洲 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 周赤
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法,该方法利用GDSII文件的阶层化结构,以二维图形的布尔运算为基础,通过计算两个SRAM Cell的误差图形面积λ来确定图形的相似性。本发明再通过软件程序建立SRAM Cell库,查找待修改文件中的SRAM Cell,通过比较找到与之相似的可实施的SRAM Cell库中的SRAM Cell,最后以与之相似的可实施的SRAM Cell替代原始SRAM Cell。所有过程均通过软件程序自动完成,与传统的人工操作相比,本发明不仅大大提高效率,而且准确度和可靠性都有较大提升。
搜索关键词: 不同 工艺 规则 sram 图形 快速 修改 方法
【主权项】:
1.一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法,其特征是:该方法包括以下步骤:第一步,建立一个SRAM Cell库,该SRAM Cell库中存储着所有可实施的SRAM Cell版图数据,该SRAM Cell库是以GDSII格式存储的;第二步,同时读入待修改的版图文件和SRAM Cell库,查找出这两个GDSII文件中的每一个SRAM Cell;第三步,利用GDSII文件的阶层化结构,以二维图形的布尔运算为基础,比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一个SRAM Cell,直至找出与待修改的版图文件中的SRAM Cell相似的SRAMCell库中的SRAM Cell;第四步,将待修改的版图文件中的SRAM Cell以SRAM Cell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换;第五步,重复上述第三步至第四步,直至待修改的版图文件中的每一个SRAM Cell都找出了与之相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell,并以SRAMCell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换。
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