[发明专利]一种交流电氧化金属钛制备二氧化钛薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710040493.1 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101054711A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 崔晓莉;杨艳超;李志州;章壮健 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;B01J21/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于二氧化钛薄膜制备技术领域，具体为一种交流电氧化金属钛制备二氧化钛薄膜的方法。该方法使用交流电解装置，以金属钛片作为工作电极，以石墨为对电极，调节输入电压，以调节流过金属钛片的电流，直接氧化金属钛片，得到钛基二氧化钛薄膜。氧化时的温度为0～100℃，电压为10－50V，时间为1～30分钟。本发明方法使用设备和工艺简单，控制方便，制备的TiO2薄膜光电性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交流电 氧化 金属 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种交流电氧化金属钛制备二氧化钛薄膜的方法，其特征在于具体步骤如下：使用交流电解装置，该装置设有交流电源调压器、电解池、搅拌子、电流表和电压表，以金属钛片作为工作电极，以石墨为对电极，电解液由0.5-1M的NH4SO4与该组分重量0.1-1wt％的NH4F组成；调节调压器的输入电压，从而以调节流过金属钛片的电流，直接氧化金属钛片，得到钛基二氧化钛薄膜；氧化时的温度为0～100℃，控制电压为10-50V，通电时间为1～30min。
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