[发明专利]薄膜硅光伏器件的背电极无效
申请号: | 200710004976.6 | 申请日: | 2007-02-14 |
公开(公告)号: | CN101246923A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型的薄膜硅光伏器件的背电极。为了同时获得银和铝薄膜背电极的优点,并抑制它们的缺点,本发明采取将银和铝叠加在一起的复合型背电极,并在它们之间加入一个很薄的氧化铝膜,以防止银和铝的相互扩散。这种背电极反射率高,稳定性强,且便于在大面积的光伏模板的生产中实施。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 硅光伏 器件 电极 | ||
【主权项】:
1. 一个薄膜光伏器件,包含:a)一个透明导电的前接触层,包括透明导电氧化物;b)一个单一的p-i-n型光伏单元或者多个重叠在一起的p-i-n型光伏单元,包括基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜;c)一个反光的导电背电极,其特征在于:该反光的导电背电极结构依次包括:i.一个透明导电氧化物薄膜,包括铝掺杂的氧化锌;ii.一个银薄膜,其厚度小于60纳米;iii.一个氧化铝薄膜,其厚度不超过30纳米;iv.一个铝薄膜,其厚度大于120纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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