[发明专利]薄膜硅光伏器件的背电极无效

专利信息
申请号: 200710004976.6 申请日: 2007-02-14
公开(公告)号: CN101246923A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 李沅民;马昕 申请(专利权)人: 北京行者多媒体科技有限公司
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/042;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种新型的薄膜硅光伏器件的背电极。为了同时获得银和铝薄膜背电极的优点,并抑制它们的缺点,本发明采取将银和铝叠加在一起的复合型背电极,并在它们之间加入一个很薄的氧化铝膜,以防止银和铝的相互扩散。这种背电极反射率高,稳定性强,且便于在大面积的光伏模板的生产中实施。
搜索关键词: 薄膜 硅光伏 器件 电极
【主权项】:
1. 一个薄膜光伏器件,包含:a)一个透明导电的前接触层,包括透明导电氧化物;b)一个单一的p-i-n型光伏单元或者多个重叠在一起的p-i-n型光伏单元,包括基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜;c)一个反光的导电背电极,其特征在于:该反光的导电背电极结构依次包括:i.一个透明导电氧化物薄膜,包括铝掺杂的氧化锌;ii.一个银薄膜,其厚度小于60纳米;iii.一个氧化铝薄膜,其厚度不超过30纳米;iv.一个铝薄膜,其厚度大于120纳米。
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