[发明专利]空穴注入层/传输层组合物及装置有效

专利信息
申请号: 200680007564.1 申请日: 2006-02-09
公开(公告)号: CN101679714A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 特洛伊·D·哈蒙德;肖恩·P·威廉姆斯;埃琳娜·舍伊娜;布赖恩·伍德沃斯;达林·莱尔德;克里斯托弗·格雷科 申请(专利权)人: 普莱克斯托尼克斯公司
主分类号: C08L41/00 分类号: C08L41/00;C08L65/02;C08L101/12;C08L65/00;C08L79/02;H01L51/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫
地址: 美国宾*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 应用于HIL/HTL的组合物,其包括固有导电的聚合物、平面化剂和掺杂剂,其溶于非水溶剂。可以使用立体规则性烷基/烷氧基和芳基取代的聚噻吩的嵌段共聚物。可以将该组合物制成薄膜。可以实现优异的效能和寿命稳定性。
搜索关键词: 空穴 注入 传输 组合 装置
【主权项】:
1.一种用在空穴注入层或空穴传输层中的混合组合物,其包括以下组分:(i)至少一种固有导电的聚合物或共聚物,(ii)至少一种导电聚合物或共聚物的掺杂剂;和(iii)至少一种平面化剂,其中所述平面化剂是合成聚合物;其中当组合物为厚度小于约200nm的空穴注入层或空穴传输层的形式时,所述组分可溶于非水溶剂,且配制形成相容的混合物。
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