[发明专利]具有增加电容的嵌入式DRAM及其制造方法

摘要

一种嵌入式DRAM存储器件包括一个或更多柱形单元电容器。将接触柱(25)设置在衬底(10)上的PMD层(27)中，并且通过在接触柱(25)上沉积终点停止层(40)、然后在PMD层(27)上设置的氧化物层(60)中形成第二接触沟槽(62)来形成电容器的下电极(或存储模式电极)。第二接触沟槽(62)与相应的接触柱(25)对齐，并且例如填充有加上钨的阻挡材料。在接触沟槽(62)的位置处将氧化物层(60)选择性地刻蚀至终点停止层(40)。沿第一接触柱(25)的长度刻蚀终点停止层并且随后刻蚀PMD层(27)，以便形成沟槽(62)。最后，将第二接触沟槽(62)中的钨选择性地刻蚀穿过阻挡层，以便在第二沟槽(62)的内壁和底部上留下例如TiN的阻挡层(64)。

主权项

1.一种在衬底(10)上形成电容器的方法，所述电容器包括第一和第二电极，在第一和第二电极之间具有电介质材料，所述方法包括：在所述衬底(10)上设置的第一材料层(27)中形成导电接触柱(25)；通过在电容器孔(62)内部形成导电材料栓塞来形成所述第一电极，该电容器孔(62)被设置在所述第一材料层(27)上方设置的第二材料层(60)中，所述电容器孔(62)与所述导电接触柱(25)对齐；沿所述电容器孔(62)的侧壁在所述第二材料层中选择性地刻蚀沟槽(63)，并且沿所述导电接触柱(25)的侧壁的至少一部分延伸所述沟槽穿过所述第一材料层；以及部分地刻蚀所述导电材料栓塞以便在所述电容器孔的侧壁上留下导电材料层(64)。