[发明专利]带有布置于平面中的前腔室的气体分配器有效
申请号: | 200680003148.4 | 申请日: | 2006-01-05 |
公开(公告)号: | CN101107384A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 马库斯·莱因霍尔德;彼得·鲍曼;格哈特·K·斯特劳奇 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗股份公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王冉;王景刚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种用于CVD或OPVD反应器的气体分配器,包括两个或更多的气体空间(1、2),在每个空间中开有用于过程气体的供应管线(3、4),每个气体空间(1、2)都连接到用于各个过程气体的多个出口开口(6、7)上,所述开口出口开在气体分配器的底部(5)中。为了增加气体成分的均质性,两个气体空间(1、2)具有位于共用第一平面(8)的前腔室(10、10’、11),分别与一个气体空间相关联的多个气体分配腔室(12、13)设置在第二平面(9)中,临近气体分配器的底部,每个气体空间(1、2)的前腔室(10、10’、11)和气体分配腔室(12、13)通过连接通道(14、15)连接。 | ||
搜索关键词: | 带有 布置 平面 中的 前腔室 气体 分配器 | ||
【主权项】:
1.一种用于CVD或OVPD反应器中的气体分配器,带有两个或更多的气体空间(1、2),在每个空间中开有用于过程气体的供应管线(3、4),每个气体空间(1、2)都连接到用于各个过程气体的多个出口(6、7)上,所述出口开在气体分配器的底部(5)中,其特征在于,两种过程气体首先在第一平面中的径向方向上分布且随后在第二平面中的周缘方向上分布。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的