[实用新型]磁盘阵列协处理控制卡无效

专利信息
申请号: 200620163351.5 申请日: 2006-12-01
公开(公告)号: CN201011563Y 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 冯丹;童薇;刘景宁;张宇;田磊;柴红刚 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 方放
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 磁盘阵列协处理控制卡,属于计算机存储技术领域,目的在于加快XOR运算的执行速度、增强数据安全性,提高存储访问速度,用于启动磁盘阵列系统。本实用新型包括PCI接口、XOR处理引擎、加密逻辑单元、FlashMemory接口、NVRAM接口,以及Flash Memory芯片和NVRAM芯片,本实用新型具有PCI接口、采用FPGA实现,有很强的灵活性,其XOR处理引擎、加密逻辑单元、板载NVRAM能提高系统的I/O处理能力、数据安全性,缩短I/O响应时间,可以有效改善存储访问速度、解决存储安全等问题;保证了磁盘阵列控制系统的可靠性和稳定性,可用于磁盘阵列存储系统的启动并增强其性能。
搜索关键词: 磁盘阵列 处理 控制
【主权项】:
1.一种磁盘阵列协处理控制卡,其特征在于:其包括PCI接口、XOR处理引擎、加密逻辑单元、Flash Memory接口、NVRAM接口,以及FlashMemory芯片和NVRAM芯片,其中Flash Memory芯片和NVRAM芯片分别与Flash Memory接口、NVRAM接口电信号连接,XOR处理引擎、加密逻辑单元、Flash Memory接口及NVRAM接口通过PCI后端设备信号与PCI接口连接;PCI接口完成主机与本磁盘阵列协处理控制卡之间的命令和数据交互;XOR处理引擎完成异或运算;加密逻辑单元执行加密处理;Flash Memory接口和NVRAM接口分别负责控制Flash Memory芯片和NVRAM芯片;Flash Memory芯片用作PCI卡的扩展ROM,同时存放磁盘阵列控制程序;NVRAM芯片用作磁盘阵列的高速缓存。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200620163351.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top