[发明专利]一种减小准分子激光直写刻蚀横向影响区的方法无效
| 申请号： | 200610169837.4 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1994653A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 姚李英;刘莹;陈涛;左铁钏;刘世炳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B23K26/12 | 分类号： | B23K26/12;B23K26/18;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减小准分子激光刻蚀横向影响区的装置，属于准分子激光微加工领域。主要包括有激光器(1)、掩模(4)、投影物镜(6)、试样(7)，其中，激光器1发出的主光束经过第一反射镜(2)、第二反射镜(3)到达掩模(4)，将掩模(4)的图案经过第三反射镜(5)反射到投影物镜(6)，投影物镜(6)缩小后的图案成像到试样(7)的表面，进行刻蚀，其特征在于：试样(7)设置在水槽(8)的底部，水槽(8)内注有液体，试样(7)的刻蚀表面低于液面。采用本发明进行在液体下加工，提高了准分子激光刻蚀微结构表面形貌的质量，获得高质量的微细加工结构，实施方法简单，使准分子激光微加工工艺进一步完善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 准分子激光 刻蚀 横向 影响 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小准分子激光直写刻蚀横向影响区的方法，其特征在于，该方法是按以下步骤进行的：1)将试样(7)固定到水槽(8)的底部，然后向水槽(8)中注入液体，液面高于试样(7)的上表面；2)将水槽(8)固定到准分子激光直写刻蚀微加工系统中的三维工作台(9)上；3)将准分子激光直写刻蚀微加工系统中掩模(4)转换至“十”型，然后调整激光的像点位置，使之位于试样(7)的表面；4)将准分子激光直写刻蚀微加工系统中掩模(4)转换至加工所需形状后，打开激光器(1)，进行刻蚀。
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