[发明专利]成膜装置、其运转方法及运行该方法用的存储介质有效
申请号: | 200610156579.6 | 申请日: | 2006-12-28 |
公开(公告)号: | CN1990910A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 井上久司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/52;H01L21/677;G05B15/02;G11C11/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在反应容器内,在被晶舟所保持的基板上形成氮化硅膜,然后从反应容器中搬出晶舟,接着,在将保持有应进行处理的未处理基板的晶舟搬入反应容器中时,从晶舟开始被搬入反应容器内到反应容器的搬入搬出口被封闭为止的这一期间,使加热反应容器用的加热器的设定温度连续上升。这样,不仅可以防止因搬入冷的晶舟导致反应容器的内壁温度下降,还能防止附着在反应容器内壁上的反应主产物或者反应副产物发生意外的剥离,防止剥离片引起的对未处理晶片的污染。 | ||
搜索关键词: | 装置 运转 方法 运行 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置的运转方法,所述成膜装置包括能够容纳用来保存整齐排列着的多个基板的基板保持件的反应容器;加热所述反应容器的加热器;和为了使所述反应容器变成预先设定的设定温度而控制所述加热器的控制部,其特征在于,具有以下工序:通过向容纳着保持有多个基板的所述基板保持件的所述反应容器内供给处理气体,同时利用所述加热器加热所述反应容器,由此在所述基板上形成氮化硅膜的成膜工序;所述成膜工序结束后,经由设置在所述反应容器上的搬入搬出口,从所述反应容器中搬出保持着已形成所述氮化硅膜的基板的所述基板保持件的搬出工序;和所述搬出工序结束后,将保持着多个未处理的基板的所述基板保持件搬入所述反应容器内,同时封闭所述搬入搬出口的搬入工序,其中,所述搬入工序是至少在从开始将所述基板保持件搬入所述反应容器内之时至封闭所述搬入搬出口为止的期间内,一边使所述设定温度升高一边实施的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610156579.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的