[发明专利]成膜装置、其运转方法及运行该方法用的存储介质有效

专利信息
申请号: 200610156579.6 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN1990910A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 井上久司 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/52;H01L21/677;G05B15/02;G11C11/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在反应容器内,在被晶舟所保持的基板上形成氮化硅膜,然后从反应容器中搬出晶舟,接着,在将保持有应进行处理的未处理基板的晶舟搬入反应容器中时,从晶舟开始被搬入反应容器内到反应容器的搬入搬出口被封闭为止的这一期间,使加热反应容器用的加热器的设定温度连续上升。这样,不仅可以防止因搬入冷的晶舟导致反应容器的内壁温度下降,还能防止附着在反应容器内壁上的反应主产物或者反应副产物发生意外的剥离,防止剥离片引起的对未处理晶片的污染。
搜索关键词: 装置 运转 方法 运行 存储 介质
【主权项】:
1.一种成膜装置的运转方法,所述成膜装置包括能够容纳用来保存整齐排列着的多个基板的基板保持件的反应容器;加热所述反应容器的加热器;和为了使所述反应容器变成预先设定的设定温度而控制所述加热器的控制部,其特征在于,具有以下工序:通过向容纳着保持有多个基板的所述基板保持件的所述反应容器内供给处理气体,同时利用所述加热器加热所述反应容器,由此在所述基板上形成氮化硅膜的成膜工序;所述成膜工序结束后,经由设置在所述反应容器上的搬入搬出口,从所述反应容器中搬出保持着已形成所述氮化硅膜的基板的所述基板保持件的搬出工序;和所述搬出工序结束后,将保持着多个未处理的基板的所述基板保持件搬入所述反应容器内,同时封闭所述搬入搬出口的搬入工序,其中,所述搬入工序是至少在从开始将所述基板保持件搬入所述反应容器内之时至封闭所述搬入搬出口为止的期间内,一边使所述设定温度升高一边实施的。
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