[发明专利]过电流保护组件有效
| 申请号： | 200610149601.4 | 申请日： | 2006-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101162632A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王绍裘;游志明 | 申请（专利权）人： | 聚鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/13 | 分类号： | H01C7/13;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种过电流保护组件，其包含二金属箔片、一叠设于所述二金属箔片间的正温度系数(PTC)材料层。所述PTC材料层包含：(1)一高分子聚合物基材，其所占体积百分比介于35－60％，且包含一熔点高于150℃的含氟的结晶性高分子聚合物(例如聚氟化亚乙烯(polyvinylidine fluoride；PVDF))；以及(2)一散布于所述高分子聚合物基材中的导电陶瓷填料(例如碳化钛)。所述导电陶瓷填料所占体积百分比介于40－65％，且其体积电阻值小于500μΩ－cm。所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω－cm，且于25℃时的维持电流对PTC材料层面积的比率为介于0.05至0.2A/mm2之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 保护 组件 | ||
【主权项】：
1.一种过电流保护组件，包含：二金属箔片；以及一正温度系数(PTC)材料层，是叠设于所述二金属箔片之间，其包含：(1)一高分子聚合物基材，其所占体积百分比介于35-60％，且包含一熔点高于150℃的含氟的结晶性高分子聚合物；及(2)一导电陶瓷填料，散布于所述高分子聚合物基材中，所述导电陶瓷填料所占体积百分比介于40-65％，且其体积电阻值小于500μΩ-cm；其中所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm，且25℃时的维持电流对PTC材料层面积的比率为介于0.05至0.2A/mm2之间。
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