[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与半透射液晶显示装置有效
| 申请号： | 200610144555.9 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1959993A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 升谷雄一;野海茂昭;永野慎吾 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供抑制了起因于栅绝缘膜的绝缘破坏的像素电极与辅助电容电极的短路之发生的薄膜晶体管阵列基板。本发明的一个形态的TFT阵列基板(100)设有：在反射像素电极(65)下方隔着栅绝缘膜(30)设置的辅助电容电极(23)；设置在反射像素电极(65)上方的层间绝缘膜(70)；在未设置辅助电容电极(23)的区域中设于层间绝缘膜(70)上的接触孔(80)；通过接触孔(80)与反射像素电极(65)连接的透射像素电极(90)；在设有接触孔(80)的区域中设于反射像素电极(65)下方的厚度校正图案(24)，厚度校正图案(24)与辅助电容电极(23)之间被绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 透射 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包含：在反射电极的下方隔着第1绝缘膜设置的辅助电容电极；设置在所述反射电极的上方的第2绝缘膜；在未设置所述辅助电容电极的区域中设于所述第2绝缘膜上的接触孔；通过所述接触孔与所述反射电极连接的透射电极；以及在设有所述接触孔的区域中设于所述反射电极下方的厚度校正图案，所述厚度校正图案与所述辅助电容电极绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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