[发明专利]春石斛茎段扦插繁殖的方法无效
| 申请号： | 200610113661.0 | 申请日： | 2006-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101156551A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李振坚;王雁 | 申请（专利权）人： | 中国林业科学研究院林业研究所 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00;C12N5/04;A01G7/00;A01G1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;任红 |
| 地址： | 100091*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种春石斛茎段扦插繁殖的方法，首先选用6苄基氨基嘌呤或其它对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育，待腋芽发育至0.3～0.7厘米大小时，从假鳞茎上剪下插穗，扦插入适合插穗生根的育苗穴盘中；或者当假鳞茎的腋芽发育成未生根的当年生嫩枝时，将嫩枝连同嫩枝基部的膨大部分共同剪下，作为插穗扦插。待插穗生根后，进行移栽上盆。使春石斛腋芽芽体萌发整齐，可以加快繁殖的速度和效率，增加春石斛种苗的繁殖数量，有利于缩短栽培周期，使种苗整齐一致，进行规模化的批量销售。 | ||
| 搜索关键词： | 石斛 扦插 繁殖 方法 | ||
【主权项】：
1.一种春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，包括步骤：A、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育；B、保持温暖的环境及适宜的光照条件一段时间，直至假鳞茎的腋芽发育至适合扦插的程度；C、从假鳞茎上剪下插穗，扦插入带有基质的扦插盘中，所述基质适合插穗生根。
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