[发明专利]制膜装置、制膜方法、图案化方法、光学装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610110168.3 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1912179A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 宫泽贵士 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够提高微细图案的形成精度的制膜装置。具备：在基体(160)上喷出第一化学种的第一喷嘴(102a)、在基体(160)上喷出第二化学种的第二喷嘴(102b)、储存第一化学种的材料储藏室(101a)和发生反应活性物种的反应活性物种发生部(103a)、储存第二化学种的材料储藏室(101b)和发生反应活性物种的反应活性物种发生部(103b)，其中，将第一喷嘴(102a)与第二喷嘴(102b)配置得使被喷出的第一化学种的流与第二化学种的流交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 图案 光学 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制膜装置，其中具备：喷出第一化学种的第一喷嘴，和喷出第二化学种的第二喷嘴。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
