[发明专利]铁电光学超晶格集成单电极控制极化的制备方法无效
| 申请号： | 200610096783.3 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1971839A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 谢臻达;徐平;祝世宁;赵刚;王雯 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01S3/16;H01S5/34;G02B1/02;C30B29/30;B01J19/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 铁电光学超晶格集成单电极控制极化的制备方法，极化时通过外加脉冲电场使铁电畴反转，需要两面电极，+C面用于提供极化电压，－C面接地。其中至少有一面电极有图案，这面电极采用半导体材料制作，并与集成控制电路一起集成在晶体的任意一表面；集成控制电路的基本单元由电极及其控制电路构成，所有控制电路都由外接低压电源驱动；实现每个电极单独控制，用于极化制备光学超晶格。晶体上电极图案与预期的的超晶格极化结构相同。通过每个电极单独控制确保光学超晶格极化均匀，避免发生局部由于成核先后引起的畴合并或者极化不足现象。提高了极化的质量，使一些传统方法难以极化的材料或结构的极化成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 晶格 集成 电极 控制 极化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、铁电光学超晶格集成单电极控制极化的制备方法，其特征是极化时通过外加脉冲电场使铁电畴反转，需要两面电极，+C面用于提供极化电压，-C面接地。其中至少有一面电极有图案，这面电极采用半导体材料制作，并与集成控制电路一起集成在晶体的任意一表面；集成控制电路的基本单元由电极及其控制电路构成，所有控制电路都由外接低压电源驱动；实现每个电极单独控制，用于极化制备光学超晶格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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