[发明专利]制造含透明电极的透明元件的方法有效
| 申请号： | 200610092251.2 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1881536A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | G·波利;J·格鲁普 | 申请（专利权）人： | 阿苏拉布股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L31/0224;H01L31/18;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造包含透明电极的透明元件的方法，该方法包括以下步骤：在透明基底(1)的至少一部分表面上沉积一层透明的导电氧化物(2)，以及通过沿希望的电极(4，6，8)的轮廓除去所述氧化物，使得形成修整线(10)，而在所述导电氧化物层(2)中设置通过导电路径(6)连接到接触片(8)的至少一个电极(4)，所述修整线(10)将使形成电极(4，6，8)的导电氧化物层(2)的部分(12)与导电氧化物层(2)的剩余部分(14)隔离，其中所述形成电极的导电氧化物层的部分(12)将被连接到电位，所述剩余部分(14)将是浮置的，该方法的特征在于，在所述第一修整线(10)的周围形成至少第二修整线(10′)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 透明 电极 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包含透明电极的透明元件的方法，所述方法包括以下步骤：在透明基底(1)的至少一部分表面上沉积一层透明的导电氧化物(2)，以及通过沿希望的所述电极(4，6，8)的轮廓除去所述氧化物，使得形成修整线(10)，而在所述导电氧化物层(2)中设置通过导电路径(6)连接到接触片(8)的至少一个电极(4)，所述修整线(10)将使形成所述电极(4，6，8)的所述导电氧化物层(2)的部分(12)与导电氧化物层(2)的剩余部分(14)隔离，其中所述形成电极的导电氧化物层的部分(12)将被连接到电位，所述剩余部分(14)将是浮置的，该方法的特征在于，在所述第一修整线(10)的周围形成至少第二修整线(10′)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿苏拉布股份有限公司，未经阿苏拉布股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610092251.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：计算机系统和显示装置
- 下一篇：内燃机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
