[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610080408.X | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101071773A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈麒麟;黄志仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其包含提供一个基体；于基体上形成一个图案化第一导体层；于图案化第一导体层上形成一层第一绝缘层；于第一绝缘层上形成一层多晶硅薄膜层；于多晶硅薄膜层上形成一层第二绝缘层；将多晶硅薄膜层与第二绝缘层予以图案化以形成一个图案化多晶硅薄膜层与一个位于图案化多晶硅薄膜层上的图案化第二绝缘层；于图案化第二绝缘层上形成一层掺杂的多晶硅薄膜层；于掺杂的多晶硅薄膜层上形成一个图案化第二导体层，该图案化第二导体层曝露出位于图案化第二绝缘层上方的掺杂的多晶硅薄膜层的局部；以及将曝露出的掺杂的多晶硅薄膜层的局部予以移除使曝露出图案化第二绝缘层的局部。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征是包含：提供一个基体；于基体上形成图案化第一导体层；于图案化第一导体层上形成第一绝缘层；于第一绝缘层上形成多晶硅薄膜层；于多晶硅薄膜层上形成第二绝缘层；将多晶硅薄膜层与第二绝缘层予以图案化以形成图案化多晶硅薄膜层与位于图案化多晶硅薄膜层上的图案化第二绝缘层；于图案化第二绝缘层上形成掺杂的多晶硅薄膜层；于掺杂的多晶硅薄膜层上形成图案化第二导体层，该图案化第二导体层曝露出位于图案化第二绝缘层上方的掺杂的多晶硅薄膜层的局部；以及将曝露出的掺杂的多晶硅薄膜层的局部予以移除使曝露出图案化第二绝缘层的局部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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