[发明专利]光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法无效

专利信息
申请号: 200610072418.9 申请日: 2006-04-11
公开(公告)号: CN101055898A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 赖明雄;洪传献;温志中;许国强 申请(专利权)人: 新日光能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/0264 分类号: H01L31/0264;H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法。该光电转换元件,包括一硅基板、一第一半导体层以及一第二半导体层。其中,硅基板中硅的纯度是大于等于95%,第一半导体层设置于硅基板之上,第二半导体层设置于第一半导体层上。该光电转换装置,包括:一光学转换元件,其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层,该硅基板中硅的纯度是大于等于95%,第一半导体层设置于硅基板之上,第二半导体层设置于第一半导体层上;以及一电极对,包括一第一电极与一第二电极,第一电极与第一半导体层相连结,第二电极与第二半导体层相连结。其可改善现有的基板与第一半导体层间容易剥离的现象,进而能提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。
搜索关键词: 光电 转换 装置 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种光电转换装置,其特征在于其包括:一光学转换元件,其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层,该硅基板中硅的纯度是大于等于95%,该第一半导体层是设置于该硅基板之上,该第二半导体层是设置于该第一半导体层上;以及一电极对,其包括一第一电极与一第二电极,该第一电极是与该第一半导体层相连结,该第二电极是与该第二半导体层相连结。
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