[发明专利]光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法无效
申请号: | 200610072418.9 | 申请日: | 2006-04-11 |
公开(公告)号: | CN101055898A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 赖明雄;洪传献;温志中;许国强 | 申请(专利权)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法。该光电转换元件,包括一硅基板、一第一半导体层以及一第二半导体层。其中,硅基板中硅的纯度是大于等于95%,第一半导体层设置于硅基板之上,第二半导体层设置于第一半导体层上。该光电转换装置,包括:一光学转换元件,其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层,该硅基板中硅的纯度是大于等于95%,第一半导体层设置于硅基板之上,第二半导体层设置于第一半导体层上;以及一电极对,包括一第一电极与一第二电极,第一电极与第一半导体层相连结,第二电极与第二半导体层相连结。其可改善现有的基板与第一半导体层间容易剥离的现象,进而能提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光电转换装置,其特征在于其包括:一光学转换元件,其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层,该硅基板中硅的纯度是大于等于95%,该第一半导体层是设置于该硅基板之上,该第二半导体层是设置于该第一半导体层上;以及一电极对,其包括一第一电极与一第二电极,该第一电极是与该第一半导体层相连结,该第二电极是与该第二半导体层相连结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的