[发明专利]用于熔丝存储单元的微分读出电路无效
| 申请号： | 200610071193.5 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1838326A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | G·勒曼;V·科塞洛特;J·－Y·拉奎尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于读出存储器(F2，F3)的存储信息的读出电路(2)，包括两个具有不同编程状态的非易失存储单元(F2，F3)，存储器(F2，F3)的存储信息由两个存储单元(F2，F3)的编程状态给出，并且读出电路(2)具有易失性信号存储器(INV4，INV5)，其输入被连接至存储单元(F2，F3)的读输出。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 单元 微分 读出 电路 | ||
【主权项】：
1、用于读出存储在存储器(F2，F3)中的一项存储信息的读出电路(2；3)，存储器(F2，F3)包括两个具有不同编程状态的非易失存储单元(F2，F3)，以及由两个存储单元(F2，F3)的编程状态给出存储器(F2，F3)的存储信息，以及读出电路(2；3)包括具有两个输入和至少一个输出(FOUT0，FOUT1)的易失信号存储器(INV4，INV5)，在读出存储器(F2，F3)的存储信息期间，所述输入连接到两个存储单元(F2，F3)的读输出，并且存储器(F2，F3)的存储信息能够在至少一个输出(FOUT0，FOUT1)上被读出。
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