[发明专利]改善硅化镍层性能方法及形成PMOS晶体管方法

摘要

一种形成硅化镍层及PMOS晶体管的方法，首先提供包括栅极结构的n型硅衬底；在n型硅衬底上进行非晶化锗注入；在栅极结构的两侧n型硅衬底中形成源极和漏极，并对源极和漏极进行退火；在n型硅衬底和栅极结构上沉积覆盖层；在覆盖层上形成镍层；退火，使镍层与源极和漏极表面的硅反应形成硅化镍层；去除未反应的镍层和覆盖层；经过后续内连线过程，形成PMOS晶体管。在上述形成源极和漏极之前先非晶化锗注入n型硅衬底中，将n型硅衬底的单晶硅非晶化为多晶硅，然后将锗掺杂入多晶硅间，使后续镍层与硅衬底反应形成硅化镍的同时不会生成二硅化镍，进而在硅衬底中也不会产生尖峰现象而导致漏电流。

主权项

1.一种改善硅化镍层性能的方法，其特征在于：包括下列步骤：首先提供包括栅极结构的n型硅衬底，栅极结构位于n型硅衬底上方的中间位置，所述n型硅衬底中的硅为单晶硅；对栅极结构两侧的n型硅衬底进行非晶化，使单晶硅变为多晶硅；在多晶硅中进行锗注入；在栅极结构两侧的n型硅衬底中形成p型源极和p型漏极；在p型源极和p型漏极表面形成硅化镍层。