[发明专利]多孔硅层结构的晶体硅太阳电池

摘要

本发明涉及太阳电池，为解决晶体硅太阳电池的结构问题，本发明公开了多孔硅层结构的晶体硅太阳电池，其结构顺序包括N型硅层、P型硅层、背面电极、在N型硅层和P型硅层交界处形成具有光伏效应的PN结，其特点是在靠近受光面一侧的硅材料表面上设有一层纳米多孔硅层，该纳米多孔硅层表面上有透明导电膜结构。本发明对现有的结构作了改进，增加了一层纳米多孔硅层，从而提高了太阳电池光电转换效率。由于纳米多孔硅层的准孔径和准孔壁的尺寸在2纳米到300纳米之间，且纳米多孔硅层厚度较薄，用较薄的晶体硅层可以达到与较厚晶体硅层相同的光量子的产额。节省了贵重的半导体硅材料，使成本降低。

主权项

1.多孔硅层结构的晶体硅太阳电池，其结构顺序包括N型硅层、P型硅层、背面电极、在N型硅层和P型硅层交界处形成具有光伏效应的PN结，其中N型硅层和P型硅层的顺序可以相互交换排列，其特征在于在靠近受光面一侧的硅材料表面上设有一层纳米多孔硅层，该纳米多孔硅层表面上有透明导电膜结构。