[发明专利]生长应变层的方法

摘要

公开了一种在Si衬底(10)上形成应变Si层(16)的方法，包括在Si衬底(10)上形成第一SiGe缓冲层(12)。然后，使用离子注入将无定形化掺杂剂注入到第一SiGe缓冲层，以使第一SiGe缓冲层成为无定形的。在退火之后，在第一SiGe缓冲层上生长第二SiGe缓冲层(14)。这产生了弛豫的SiGe层(12，14)。然后生长应变Si层(16)。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在结晶Si下层(10)上形成第一SiGe缓冲层(12)，以形成具有第一SiGe缓冲层上的第一主表面、以及第一SiGe缓冲层和Si下层之间的SiGe/Si边界的中间半导体阶段；采用无定形化掺杂剂注入中间半导体阶段的第一主表面，以使第一SiGe缓冲层成为无定形的，无定形化掺杂剂使中间半导体阶段从第一主表面向衬底远到范围区域的末端成为无定形的，该范围区域的末端具有较高的缺陷密度，并且位于较低缺陷密度的结晶区域的上方；在范围区域的末端上方再生长第一SiGe缓冲层，以形成弛豫的SiGe层。