[发明专利]硅晶片基板固定台和硅晶片基板温度测量方法

摘要

本发明提供硅晶片基板固定台和硅晶片基板温度测量方法。通过用腐蚀性气体填充设置有灯加热器的腔体，在腐蚀性气体中测量红外线透射率高的处理物体的温度。在用于固定安装在灯加热器上部的一片硅晶片基板的台或者位于灯加热器的发光开口部侧的由石英等制成的外壳上设置有凹槽，以提供其中使要嵌入的热电偶不与腐蚀性气体接触的结构。将处理物体的等同物即硅晶片基板小片接合在热电偶上。在测量温度时，预先测量设置在台表面上的待测量硅晶片基板的测量温度值与所述硅晶片基板小片的测量温度值之间的差，并且校正硅晶片基板与硅晶片基板小片之间的热容量差。使用该装置和方法，可以测量硅晶片基板的温度。

主权项

1、一种盘形的晶片基板固定台，该台由石英制成，具有大体平坦的表面，并且在包括辐射加热灯加热器的硅晶片加热系统中具有用于测量晶片基板的温度的热电偶，所述台包括：多个槽口，其用于固定所述台表面上的单个晶片基板，所述多个槽口与所述台由相同材料制成；多个支承部，其用于将所述单个晶片基板保持在距所述台表面预定高度处，所述多个支承部与所述固定台由相同材料制成；以及至少一个腔体，其从所述台的侧面上的至少一点起与所述台表面平行地直线延伸；其中，在所述腔体中设置有小片晶片，所述小片晶片设置有与其正面接触的热电偶、具有与所述晶片基板的成分和厚度相同的成分和厚度、并且与所述晶片基板成预定的体积比即面积比，所述小片晶片在所述腔体中被设置为使得所述热电偶不面对所述辐射加热灯加热器。