[发明专利]单晶氧化镁烧结体及其制造方法以及等离子体显示板用保护膜无效
| 申请号： | 200580018097.8 | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1964932A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 川岛裕贵;国重正明;山元香织 | 申请（专利权）人： | 达泰豪化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/04 | 分类号： | C04B35/04;C23C14/34;H01J11/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶氧化镁烧结体，其特征在于，其为氧化镁中的杂质总计在3质量％以下的单晶氧化镁烧结体，烧结体具有50％以上且不足90％的相对密度，并且含有粒径在200μm以上的颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镁 烧结 及其 制造 方法 以及 等离子体 显示 保护膜 | ||
【主权项】：
1.一种单晶氧化镁烧结体，其特征在于，其为氧化镁中的杂质总计在3质量％以下的单晶氧化镁烧结体，烧结体具有50％以上且不足90％的相对密度，并且含有粒径在200μm以上的颗粒。
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