[发明专利]形成集成的多频带薄膜体声谐振器有效
| 申请号： | 200580014245.9 | 申请日： | 2005-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1951005A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | Q·马;L－P·王;D·沈;瓦卢里·拉奥 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04;H03H9/205;H01L41/08 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可以使用光刻技术在同一集成电路上形成多带薄膜体声谐振器。结果，可以实现可再生产部件的大量生产，其中如此加工的谐振器被设计为具有不同频率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成 频带 薄膜 谐振器 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在同一集成电路上以光刻方式限定至少两个不同频率的薄膜体声谐振器。
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