[发明专利]具有电磁干扰屏蔽功能设计的系统单芯片有效
申请号: | 200510055134.4 | 申请日: | 2005-03-17 |
公开(公告)号: | CN1835233A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 许育豪 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82;H01L23/552;G06F17/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有电磁干扰屏蔽功能设计的系统单芯片设计,刻意在单芯片中的特定功能区块的周围,例如模拟/混合信号区块、射频信号区块或存储器区块,设置防电磁干扰的遮蔽环形结构,包括:一核心微处理器;一芯片总线接口;一嵌入式存储器区块;以及一模拟/混合信号区块,其中该模拟/混合信号区块刻意以一第一遮蔽环形结构围绕在周围,藉此保护该模拟/混合信号区块不受到电磁干扰。 | ||
搜索关键词: | 具有 电磁 干扰 屏蔽 功能设计 系统 芯片 | ||
【主权项】:
1、一种系统单芯片,包括:一核心微处理器;一芯片总线接口;一嵌入式存储器区块;以及一模拟/混合信号区块,其中该模拟/混合信号区块刻意以一第一遮蔽环形结构围绕在周围,藉此保护该模拟/混合信号区块不受到电磁干扰。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的