[发明专利]一种改善碳纳米管薄膜冷阴极场发射均匀性的方法无效
| 申请号： | 200510034772.8 | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1688011A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;佘峻聪;邓少芝;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善碳纳米管薄膜冷阴极场发射均匀性的方法，其技术特征是在真空环境下，以碳纳米管薄膜作冷阴极，以导电物作阳极，两者以预定间隔固定彼此相对位置；在阳极加正电压，产生场发射电流直至达到熔断碳纳米管薄膜表面突起的电流恒定值，并以定值时间持续。使用本发明的方法制成的碳纳米管薄膜冷阴极可以降低阴极的工作电压并有效地避免碳纳米管阴极与其他电极短路，其广泛应用于场发射显示器、冷阴极光源等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 纳米 薄膜 阴极 发射 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善碳纳米管薄膜冷阴极场发射均匀性的方法，其特征在于包括如下工艺步骤：(a)以碳纳米管薄膜制作冷阴极(2)，以导电物制作阳极(1)，两者以预定间隔固定彼此相对位置；(b)于真空环境中，在阳极加正电压，产生场发射电流。增加所述的电流强度，直至电流热可以熔断碳纳米管薄膜表面突起的碳纳米管时停止增加，并以此强度持续定值时间。
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