[发明专利]纳米管随机存取存储器无效
| 申请号： | 200510029506.6 | 申请日： | 2005-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1929141A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张田忠 | 申请（专利权）人： | 张田忠 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200072上海市闸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明纳米管随机存取存储器涉及随机存取存储器RAM，包括平行阵列布置的用于存储本单元信息状态的存储单元、平行布置的用于固定所述存储单元的衬底，所述存储单元包括一个纳米管，所述纳米管的状态表征所述存储单元的信息状态。本发明能显著提高随机存取存储器的存储密度、降低生产难度并减少能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种纳米管随机存取存储器，包括平行阵列布置的用于存储本单元信息状态的存储单元、平行布置的用于固定所述存储单元的衬底，所述存储单元包括一个纳米管，所述纳米管的状态表征所述存储单元的信息状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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