[发明专利]分析磁性随机存取存储器的设备与方法有效
| 申请号： | 200410095360.0 | 申请日： | 2004-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1622221A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 朴玩浚;黄仁俊;金泰完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种MRAM的分析设备和MRAM的分析方法。该分析设备包括：安装MRAM的MRAM安装部件；位于MRAM安装部件周围、向安装在MRAM安装部件的MRAM施加外磁场的磁场施加部件；位于对应于MRAM安装部件位置的探针板；指定MRAM的单位存储单元的矩阵开关；向MRAM的单位存储单元施加内磁场或者测量MRAM单位存储单元的电阻的源测量部件；存储与分析关于所测量的每个MRAM单位存储单元的电阻数据的计算机部件。该分析设备与方法可以用相对简单的结构快速分析单位存储单元的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 磁性 随机存取存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储器MRAM的分析设备，包括：安装MRAM的MRAM安装部件；位于MRAM安装部件周围、向安装在MRAM安装部件上的MRAM施加外磁场的磁场施加部件；指定安装在MRAM安装部件上的MRAM的单位存储单元的存储单元寻址部件；向MRAM的单位存储单元施加内磁场或者测量MRAM的单位存储单元的电阻的源测量部件；存储与分析关于所测量的每个MRAM单位存储单元的电阻数据的计算机部件。
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