[发明专利]监控纳米晶体薄膜表面结构与薄膜厚度的光学方法无效

专利信息
申请号: 200410089390.0 申请日: 2004-12-10
公开(公告)号: CN1785795A 公开(公告)日: 2006-06-14
发明(设计)人: 黄呈加 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟
地址: 201203上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种监控纳米晶体薄膜表面结构与薄膜厚度的光学方法,它利用气相沉积纳米晶体薄膜低体积分率的表面结构特性,将纳米晶体薄膜区分为高折射率的致密性底层与低折射率的表面底层结合而成的双层非均质结构,利用双层结构光学模式系可仿真纳米晶体结构的特性,亦即在薄膜沉积制造过程中,若薄膜结构符合双层结构光学模式,表示薄膜呈纳米晶体特性,因此,在制造过程中,利用光学仪器对薄膜与基板的量测与计算光学参数,系可实时精确监控制造过程中纳米晶体薄膜表面结构与薄膜厚度。
搜索关键词: 监控 纳米 晶体 薄膜 表面 结构 厚度 光学 方法
【主权项】:
1、一种监控纳米晶体薄膜表面结构与薄膜厚度的光学方法,包括下列步骤:准备一透明基板,测量该透明基板的光谱,以计算该透明基板的至少一透明基板光学参数,做为设定一纳米薄膜沉积制造过程的沉积条件依据;在该透明基板上进行该纳米薄膜沉积制造过程以形成一薄膜基板,并测量该薄膜基板的光谱,以计算该薄膜基板至少一薄膜基板光学参数;以及判断该薄膜基板光学参数所包含的薄膜基板穿透率是否大于该透明基板光学参数所包含的透明基板穿透率,若否,则进行一单层结构光学仿真步骤以重新设定该透明基板的沉积条件,重复进行该薄膜沉积制造过程,若是,则进行一双层结构光学模式仿真步骤,当该双层结构光学模式仿真步骤至少一计算结果落于一预设范围时,则可将该计算结果输出并结束。
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