[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410083486.6 申请日: 2004-10-09
公开(公告)号: CN1606162A 公开(公告)日: 2005-04-13
发明(设计)人: 柳洵城;赵兴烈 申请(专利权)人: LG.菲利浦LCD株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/136
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板包括在一基板上的选通图形。选通图形包括栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极。源/漏图形包括源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极。半导体图形形成在源/漏图形之下。透明电极图形包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极。薄膜晶体管阵列基板还包括在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处层叠的栅绝缘图形和钝化膜图形。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管阵列基板,其包括:一基板上的选通图形,该选通图形包括薄膜晶体管的栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极;源/漏图形,其包括薄膜晶体管的源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极;在源/漏图形之下形成的半导体图形;透明电极图形,其包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极;以及栅绝缘图形和钝化膜图形,二者层叠在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处,其中源/漏图形被钝化膜图形露出,并且源/漏图形的侧表面比钝化膜图形进一步向下和向外倾斜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG.菲利浦LCD株式会社,未经LG.菲利浦LCD株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410083486.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top