[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200410083486.6 | 申请日: | 2004-10-09 |
公开(公告)号: | CN1606162A | 公开(公告)日: | 2005-04-13 |
发明(设计)人: | 柳洵城;赵兴烈 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/136 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板包括在一基板上的选通图形。选通图形包括栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极。源/漏图形包括源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极。半导体图形形成在源/漏图形之下。透明电极图形包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极。薄膜晶体管阵列基板还包括在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处层叠的栅绝缘图形和钝化膜图形。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管阵列基板,其包括:一基板上的选通图形,该选通图形包括薄膜晶体管的栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极;源/漏图形,其包括薄膜晶体管的源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极;在源/漏图形之下形成的半导体图形;透明电极图形,其包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极;以及栅绝缘图形和钝化膜图形,二者层叠在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处,其中源/漏图形被钝化膜图形露出,并且源/漏图形的侧表面比钝化膜图形进一步向下和向外倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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