[发明专利]原盘曝光装置和原盘曝光方法无效

专利信息
申请号: 200410080953.X 申请日: 2004-10-10
公开(公告)号: CN1612246A 公开(公告)日: 2005-05-04
发明(设计)人: 杉山寿纪;吉冈照文;近禅;宫田胜则 申请(专利权)人: 日立麦克赛尔株式会社
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26;G11B7/24;G11B7/007;G11B7/004
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 郝庆芬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供原盘曝光装置和原盘曝光方法,其防止在原盘曝光后已显像的槽(pit)的长度和尺寸的不均匀、使最短的槽(pit)和其它槽(pit)的槽(pit)宽均匀。其是将具有光敏抗蚀剂层的感度以上的强度和规定相位的光束(beam)1照射到光敏抗蚀剂层的规定区域。将具有光敏抗蚀剂层的感度以下的强度和与上述规定相位反相位的光束(beam)2照射到与上述光敏抗蚀剂的规定区域不同的区域。再者,在形成最短标记P22的区域的光盘半径方向的两侧P/P(2T),照射具有上述光敏抗蚀剂层的感度以下的强度的光束(beam)2。不论槽(pit)的长度,槽(pit)的宽度可以变得均匀,可以形成比槽(pit)长度还短的宽的槽(pit),所以能实现高密度化。
搜索关键词: 曝光 装置 方法
【主权项】:
1.一种原盘曝光方法,其特征在于:是将在表面形成光敏抗蚀剂层的碟状信息记录介质用的原盘曝光来形成所需要的模式图的原盘曝光方法,包含:将具有上述光敏抗蚀剂(photo resist)层的感度以上的强度与规定相位的第1激光(laser)束(beam)照射到光敏抗蚀剂(photo resist)的规定区域的步骤;和将具有上述光敏抗蚀剂层的感度以下的强度与上述规定相位相反相位的第2激光(laser)束(beam)照射到与光敏抗蚀剂(photo resist)的上述规定区域不同的区域的步骤。
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