[发明专利]SONOS存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410076664.2 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1574361A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 田尚勋;蔡洙杜;金柱亨;金桢雨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层以及电极层堆叠而成。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SONOS存储装置，包括：基材；以及形成在基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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