[发明专利]改善热载子注入效应的方法有效

申请号：	200410071331.0	申请日：	2004-07-20
公开（公告）号：	CN1638048A	公开（公告）日：	2005-07-13
发明（设计）人：	简财源;忻斌一	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/60
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人：	王玉双;高龙鑫
地址：	台湾省***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	一种改善热载子注入效应(Hot Carrier InjectionEffect；HCI Effect)的方法，包括步骤：提供一基材；以及形成一焊垫层位于部分的该基材上，其中该焊垫层包括所需的多个电路图案以及多个空置图案(Dummy Patterns)，且该焊垫层具有一图案密度。该方法在半导体的铜工艺中，于蚀刻铝焊垫(AlPad)时，设置多个空置图案(Dummy Patterns)，以缩短铝焊垫的蚀刻时间。因此，可降低蚀刻的等离子体对元件的伤害，进而可延长元件的热载子注入的退化时间。
搜索关键词：	改善热载子注入效应方法
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【主权项】：

1.一种改善热载子注入效应的方法，其中包括：提供一基材；以及形成一焊垫层位于部分的该基材上，其中该焊垫层至少包括所需的多个电路图案以及多个空置图案，且该焊垫层具有一图案密度。

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